优势和特点

  低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）

  无需外部电容

  低温度系数

  A级：10 ppm/°C（最大值）

  B级：3 ppm/°C（最大值）

  负载调整率：15 ppm/mA

  电压调整率：20 ppm/V

  宽工作温度范围：7.0 V至18 V

  欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

  下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)

  军用温度范围（−55℃至+125℃）

  受控制造基线

  唯一封装/测试厂

  唯一制造厂

  增强型产品变更通知

  认证数据可应要求提供

  V62/11602 DSCC图纸号

产品详情

ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。

ADR435-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

应用

  精密数据采集系统

  高分辨率数据转换器

  医疗仪器

  工业过程控制系统

  光学控制电路

  精密仪器