优势和特点

  低噪声（0.1 Hz至10 Hz）ADR420: 1.75 μV 峰峰值 ADR421: 1.75 μV 峰峰值 ADR423: 2.0 μV峰峰值ADR425: 3.4 μV峰峰值

  低温度系数：3 ppm/°C

  长期稳定性：50 ppm/1000小时

  负载调整率：70 ppm/mA

  电压调整率：35 ppm/V

  低迟滞：40 ppm（典型值）

  宽工作电压范围ADR420: 4 V 至 18 V ADR421: 4.5 V 至18 V ADR423: 5 V 至18 V ADR425: 7 V 至 18 V

  静态电流：0.5 mA（最大值）

  高输出电流：10 mA

  宽温度范围：−40°C至+125°C

产品详情

ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。                                

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

应用

  精密数据采集系统

  高分辨率转换器

  电池供电仪器仪表

  便携式医疗仪器

  工业过程控制系统

  精密仪器

  光纤网络控制电路

数据手册, Rev. H, 6/07