优势和特点

  集成式SiGe PIN光电二极管、跨导放大器(TIA)和限幅放大器(LA)

  电源监控输出：1.0 A/W（O波段波长）

  50 μm直径锗光电二极管

  输入灵敏度

  POMA = −16.5 dBm

  PAVE = −17.3 dBm (ER = 6 dB)

  PRBS31 (10.52 Gbps)，BER = 10−12，λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm 和 1330 nm

  抗反射涂层(ARC)优化至1310 nm

  3.3 V单电源

  功耗：102 mW

  差分输出摆幅：460 mV p-p

  片内电源监控器功能

  芯片尺寸：0.835 mm × 0.675 mm

产品详情

ADN3010-11是一款高速光接收机，采用与硅TIA和LA单片集成的专有大面积锗光电二极管。集成光电二极管省去了二极管与TIA之间的焊线，从而保证性能并改善制造可靠性。 直径为50 μm的光电监测器与单模光纤(SMF)对准时，可实现简单的光耦合设计。 对1310 nm ARC进行优化后，ADN3010-11支持10GBASE-LR和扩展数据速率达11.3 Gbps的其它应用。 虽然ADN3010-11的工作波长范围为850 nm至1565 nm，但在数据手册中，其中心1310 nm处具有抗反射涂层(ARC)，表征数值仅为原波段（O波段）波长（1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm和1330 nm）。 电源监控引脚提供输出电压或电流，与检测到的平均光电流成比例。 ADN3010-11采用3.3 V单电源供电，典型功耗为102 mW。 在饱和输出下，典型差分幅度为460 mV p-p (10.52 Gbps)。 ADN3010-11提供裸片形式，工作温度范围为−40°C至+85°C扩展工业温度范围。 应用

  光模块接收机，数据速率最高达11.3 Gbps

  短程10 Gb SONET、FC、以太网、CPRI、OBSAI和LTE光接收机

  可用于ROSA、BOSA或MCM封装