优势和特点

  宽带射频(RF)、中频(IF)和本机振荡器(LO)端口

  变频损耗：6.8 dB

  噪声系数：6.5 dB

  高输入IP3：25 dBm

  高输入P1dB：19 dBm

  低LO驱动电平

  单端设计：无需平衡-非平衡变换器

  单电源供电：3 V (19 mA)

  2 mm × 3 mm、8引脚小型LFCSP封装

  符合RoHS标准

产品详情

ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器，能够在较宽的输入频率范围内工作，非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构，能提供出色的输入线性度和低噪声系数，而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。

在850 MHz/900 MHz接收应用中，ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平，对于大多数应用，其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm，输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度，因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时，需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。

借助单端宽带RF/IF端口，该器件能够利用简单的外部滤波器网络，针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离，详情参见本数据手册的应用信息部分。

ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造，提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装，工作温度范围为−40°C至+85°C，同时提供评估板。

应用

  蜂窝基站

  点对点无线电链路

  RF仪器仪表

数据手册，Rev. 0，2/08