优势和特点

  超低导通电阻：0.5 Ω（典型值）小于0.8 Ω（最大值，5 V电源）

  出色的失真性能：0.01 Ω（典型值）0.2 Ω（最大值，导通电阻RON 平坦度）

  单电源：+1.8 V至+5.5 V

  高载流能力: 400mA （连续电流）600mA （峰值电流，5V）

  扩展温度范围：+125°

  轨到轨工作

  典型功耗：<0.01 μW

  TTL/CMOS兼容型输入

产品详情

ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 Ω，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。

接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。

ADG849提供6引脚小型SC70封装，因而非常适合空间受限的应用。