优势和特点

  低导通电阻：300 Ω（最大值）

  快速开关时间接通时间ton： 250 ns （最大值）断开时间toff： 250 ns（最大值）

  低功耗：3.3 mW（最大值）

  故障和过压保护：(- 40 V 至 + 55 V)

  电源断开时所有开关断开

  如果发生过压，接通通道的模拟输出将箝位在电源电压范围内

  防闩锁结构

  先开后合式开关动作

  TTL/CMOS兼容型

产品详情

ADG508F是一款CMOS模拟多路复用器，内置8个单通道，可提供故障保护。它采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路，而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。

ADG508F根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。

产品特色

  故障保护功能。 ADG508F/ADG509F可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。 当由于电源关闭而导致故障发生，所有通道都将关闭，泄漏电流只有几nA。

  存在故障时，开启通道饱和。

  低导通电阻RON。

  快速开关时间。

  先开后合式开关。 保证先开后合式开关动作，从而保护输入信号不受瞬时短路影响/li>

  沟槽隔离可防止闩锁。 电介质沟道将P沟道与N沟道MOSFET分开，避免了闩锁现象。

应用

  现有多路复用器应用（包括故障保护和无故障保护）

  要求多路复用器功能的新设计