优势和特点

  激光调整高精度 5.00 V ± 2.0 mV （M级）

  经过调整的温度系数2 ppm/°C（最大值，0°C至70°C，M级）5 ppm/°C（最大值，-40°C至+85°C，B级和L级）10 ppm/°C（最大值，-55°C至+125°C，T级）

  低噪声：100 nV/√Hz

  降噪能力

  输出调整能力

  提供符合MIL-STD-883标准的版本

  提供工业温度范围SOIC封装

  输出源电流或吸电流：10 mA

产品详情

AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。

AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步降低嵌入式齐纳二极管产生的噪声电平。

AD586推荐用作需要外部精密基准电压源的8位、10位、12位、14位或16位数模转换器(DAC)的基准电压源。该器件也非常适合最高14位精度的逐次逼近型或集成式模数转换器(ADC)，而且其性能通常优于标准片内基准电压源。

AD586J/K/L/M的额定工作温度范围为0°C至+70°C，AD586A/B为-40°C至+85°C，AD586S/T则为-55°C至+125°C。AD586J/K/L/M提供8引脚塑封DIP封装；AD586J/K/L/A/B提供8引脚塑封表贴小型(SO)封装；AD586J/K/L/S/T提供8引脚CERDIP封装。