LVT16646和LVTH16646包含16个同相双向寄存总线收发器，直接从输入总线或内部存储寄存器提供多路复用数据传输。 每个半字节均有独立的控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 DIR输入确定数据在器件中流动的方向。 CPAB和CPBA输入在低电平至高电平转换期间将数据加载到寄存器中（见“功能描述”）。 LVTH16646数据输入包含总线保持功能，无需外部上拉电阻即可保持未用的输入。 这些收发器设计用于低电压(3.3V) V
应用，但也可向5V环境提供TTL接口。 LVT16646和LVTH16646采用先进的BiCMOS技术制造，可实现类似于5V ABT的高速运行，同时又能维持较低的CMOS功耗。

• 系统在5V V
• 时的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需外部上拉电阻即可保留未使用的输入(74LVTH16646)
• 另外还提供不含总线保持功能的配置(74LVT16646)
• 允许带电插/拔
• 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载
• -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流
• 闩锁符合JEDEC JED78规定
• 静电放电(ESD)性能：人体模型> 2000V机械模型> 200V充电器件模型> 1000V