与UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。

特征：

　　4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V

　　极低栅电荷，典型15nC

　　极低反向转换电容；典型8pF

　　快速开关能力

　　增强的dV/di能力

　　100%雪崩击穿测试

　　封装型式：TO-220/TO-220F

　　最大结温 150 ℃