4N60
4安培， 600伏特N沟道功率MOSFET
制造商：
产品信息
与UTC 4N60是一个高电压MOSFET
，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用，
PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
特征：
4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V
极低栅电荷，典型15nC
极低反向转换电容；典型8pF
快速开关能力
增强的dV/di能力
100%雪崩击穿测试
封装型式：TO-220/TO-220F
最大结温 150 ℃
电路图、引脚图和封装图
4N60电路图
4N60引脚图
4N60封装图