4N29M
6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器
制造商:ON
产品信息
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
- 对于低输入驱动电流高度敏感
- 满足或超过所有 JEDEC 寄存规格
- 安全和法规认证:
- UL1577,4170 VAC
- (1 分钟)
- DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
应用案例
安森美1200V碳化硅MOSFET NTHL030N120M3S技术剖析
2026-05-08
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L016N065M3S:高性能解决方案
2026-05-08
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L030N120M3S:高性能解决方案
2026-05-07
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L022N120M3S的特性与应用
2026-05-07
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L032N065M3S:高性能解决方案
2026-05-07
onsemi碳化硅MOSFET NVH4L040N120M3S:高性能器件的技术剖析
2026-05-07
ON Semiconductor NB4N316M:高性能时钟与数据接收器的技术解析
2026-04-11
python 排列组合c(m,n)怎么算
2023-11-30
