6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管，该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。
　　6N135为偏置二极管建立了单独的连接，降低了输入晶体管的基极-集电极容抗，使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。　　

      6N135带有内部噪音屏蔽，提供优越的共模抑制，达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能，相比220V的工业标准，6N135的工作电压高达480V。

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/µs。

• 超高速 – 1 MBit/s

• 一流CMR – 10 kV/µs

• 双通道HCPL2530M HCPL2531M（初始版）

• CTR保证 0–70°C

• U.L. 认证（文件编号 E90700，卷 2)

• VDE认证（待定）–订购选件“V”，例如6N135VM

• 5,000Vrms（1分钟）隔离电压

• 一流CMR，15,000V/µs min. (HCPL4503M)

• 无基极连接，以改善抗噪能力（HCPL4502M、HCPL4503M）