宽带功率LDMOS晶体管

芯片公司：Ampleon

Ampleon的BLF645是作为多功能设备开发的，其中考虑了广播和ISM应用。该器件基于Ampleon的32 V LDMOS技术，无与伦比，在1至1400 MHz的频率范围内，在18 dB增益和56％漏极效率下拥有> 100 W P1dB输出功率。该封装采用推挽式，以优化宽带操作。

对于频率范围为10 MHz至3.8 GHZ的功率放大器，RF横向扩散MOS（LDMOS）晶体管因其出色的功率容量，增益，效率，线性度，可靠性和低成本而成为技术的既定选择。该技术还可用于广播和ISM（工业，科学和医疗）中的宽带应用，其中诸如带宽，耐用性和热阻等附加要求非常重要。

宽带功率LDMOS晶体管

功能

  • 对于整个器件，CW性能为1300 MHz，漏源电压V DS为32 V，静态漏极电流I Dq = 0.9 A：

    平均输出功率= 100 W.

    功率增益= 18 dB

    排水效率= 56％

  • 对于整个器件，1300 MHz的双音性能，32 V 的漏源电压V DS和静态漏极电流I Dq = 0.9 A：

    峰值包络负载功率= 100 W.

    功率增益= 18 dB

    排水效率= 45％

    互调失真= -32 dBc

  • 集成ESD保护

  • 出色的坚固性

  • 高功率增益

  • 高效率

  • 卓越的可靠性

  • 易于控制功率

  • 符合RoHS（有害物质限制）指令2002/95 / EC

Broadband Power LDMOS Transistor
型号描述价格操作
BLF645,112RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A在线购买