BLF7G24L功率LDMOS晶体管

Ampleon专为LTE基站而设计，内置业界领先的Gen7 LDMOS，高度DPD友好型晶体管覆盖2.3至2.4 GHz的整个频率范围。它们实现了非对称的Doherty设计，可实现44％和15 dB的增益效率。

射频功率器件市场领导者Ampleon利用其坚固耐用的Gen7 LDMOS技术生产这些射频功率晶体管，针对LTE 2.3至2.4 GHz应用进行了优化。这些陶瓷晶体管设计用于在非对称Doherty电路中协同工作，提供同类最佳的效率。在这种配置中，BLF7G24L（S）-100用作主放大器，BLF7G24L（S）-140用作峰值放大器。

两款器件均具有出色的热稳定性，专为低记忆效应而设计。这导致了出色的数字预失真（DPD）能力。这些器件还包括集成的ESD保护，并符合有关有害物质限制（RoHS）的指令2002/95 / EC。