碳化硅功率肖特基二极管

GeneSiC Semiconductor 推出其碳化硅功率肖特基二极管。 这款产品具有以下提升 ：提高电路能效（降低了总体成本），降低了开关损耗，可简单地进行无热失控器件并联，散热器要求更小，反向恢复电流低，器件电容低，以及反向泄漏电流低。 这两种产品额定电压为 1200 V，采用 TO-252 封装，并在 26 nC 时提供 2 A 电流，以及 35 nC 时提供  5 A 电流。