移动型高速 DDR SDRAM

芯片公司：Alliance Memory

Alliance Memory 的高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 专门用于提高能效并延长小型便携式设备的电池寿命。这些容量为 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB 的器件采用 8 mm x 9 mm、60 焊球和 8 mm x 13 mm、90 焊球 FPBGA 封装，具有 1.7 V 至 1.95 V 低功耗和多项省电功能。在高带宽、高性能存储器系统应用中，AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 以及 AS4C64M32MD1 成为类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

移动型高速 DDR SDRAM

功能

  • 1.7 V 至 1.95 V 低功耗

  • 省电功能：

         自动温度补偿型自我刷新 (ATCSR)

         部分阵列自我刷新 (PASR)

         深度断电 (DPD) 模式

  • 以双倍数据速率架构实现 166 MHz 以及 200 MHz 的快速时钟速率

  • 每个器件均提供扩展（-30 °C 至 +85 °C）和工业（-40 °C 至 +85 °C）温度范围

  • 内部配置为 4 组 16 M x 16 位和 32 位；32 M 和 64 M x 16 位；以及 32 M 和 64 M x 32 位

  • 提供 8 mm x 9 mm 的 60 焊球和 8 mm x 13 mm 的 90 焊球 FPBGA 封装

  • 全同步工作

  • 2、4、8 或 16 的可编程读或写猝发长度

  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

  • 符合 RoHS 规范

  • 无铅 (Pb)、无卤素

High-Speed Mobile DDR SDRAMs
型号描述价格操作
AS4C16M16MD1-6BCNIC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA￥36.10430在线购买
AS4C16M32MD1-5BCNIC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA在线购买
AS4C64M32MD1-5BCNIC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA在线购买
AS4C32M16MD1-5BCNIC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA在线购买
AS4C64M16MD1-6BCNIC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA在线购买
AS4C64M16MD1-6BINIC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA在线购买
AS4C32M32MD1-5BCNIC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA在线购买