高速 CMOS SDRAM

芯片公司：Alliance Memory

Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线，推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。 对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案，这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

高速 CMOS SDRAM

功能

  • 时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns

  • 快速时钟速率：143 MHz 和 166 MHz

  • 商用温度范围 0°C 至 70°C

  • 采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作

  • 可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面，且可选猝发端接

  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

  • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能

  • 无铅 (Pb)、无卤素

应用

  1. 工业

  2. 电信

  3. 消费类产品

High-Speed CMOS SDRAMs
型号描述价格操作
AS4C2M32S-6BINIC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA在线购买
AS4C4M32SA-7TCNIC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II在线购买
AS4C4M32S-7BCNIC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA在线购买
AS4C2M32SA-7TCNIC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II在线购买
AS4C2M32S-7BCNIC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA在线购买
AS4C4M32SA-6TINIC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II在线购买
AS4C4M32S-6BINIC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA在线购买
AS4C4M32SA-6TCNIC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II在线购买
AS4C2M32SA-6TINIC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II在线购买
AS4C2M32SA-6TCNIC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II在线购买