AFBR-S4N44C013 NUV-HD 硅光电倍增器 (SiPM)
芯片公司:Broadcom
Broadcom 的 AFBR-S4N44C013 是单 SiPM 器件,用于单光子的超灵敏、高精度测量。
有效面积为 3.72 mm x 3.72 mm。单芯片通过硅穿孔技术 (TSV) 技术实现了高封装密度。通过平铺多个 AFBR-S4N44C013 阵列来覆盖较大的区域,显着降低了任何边缘损失的可能性。钝化层采用低至 UV 波长的高透明度玻璃。这导致在可见光谱中响应广泛,对光谱中蓝色和近紫外区具有高灵敏度。
该 SiPM 非常适用于检测低水平脉冲光源,特别是 Cherenkov 光或来自极为常见的有机塑料材料和无机闪烁材料的闪烁光,具体包括 LSO、LYSO、BGO、Nal、Csl、BaF 和 LaBr。
功能
420 nm 下的 PDE 超过 55%
高填充系数
出色的单光子时间分辨率和重合分辨时间
出色的击穿电压均匀性:180 mV(3 sigma)
极佳增益均匀性
TSV 技术(4 面拼合)
尺寸:3.88 mm x 3.88 mm
单元节距:30 μm × 30 μm
高度透明的玻璃保护层
工作温度范围:+20°C 至 +50°C
符合 RoHS 规范
应用
X 射线和伽马射线检测
伽马射线光谱学
安防
核医学
正电子发射断层扫描
生命科学
细胞流量计
荧光 - 发光测量
时间相关单光子计数
高能物理
天体物理学
型号 | 描述 | 价格 | 操作 |
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AFBR-S4N44C013 | SIPM CSP 4X4MM 30UM NUVHD | 在线购买 |