650 V 碳化硅肖特基二极管

芯片公司：SMC Diode Solutions

SMC Diode Solutions SICR5650、SICRB5650、SICRD5650 和 SICRF5650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外壳封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器，具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。它们是在挑战性环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。
SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外壳封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器，具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 非常适用于挑战性环境中对能量敏感的高频应用。
SICR10650 和 SICRF10650 是采用 TO-220AC 和 ITO-220AC 封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器，具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。SICR12600 和 SICRF12600 是在具有挑战性的环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。

650 V 碳化硅肖特基二极管

功能

  • 175°C TJ 工作

  • 超低开关损耗

  • 开关速度与工作温度无关

  • 低总传导损耗

  • 高正向浪涌电流能力

  • 高封装隔离电压

  • 防护环带来更高的坚固性和长期可靠性

  • 无铅器件

  • 所有 SMC 零件都可追溯到晶圆批次

  • 可根据要求进行额外的电气和寿命测试

应用

  1. 替代能源逆变器

  2. 功率因数校正 (PFC)

  3. 续流二极管

  4. 开关电源输出整流

  5. 反极性保护

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes
型号描述价格操作
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